研究者

J-GLOBAL ID：200901009546686987 更新日: 2022年09月07日

中山弘

ナカヤマヒロシ | Nakayama Hiroshi

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (2件)：結晶工学 , 応用物性

研究キーワード (2件)： Material Design of New Semiconductor Materials , Physics of Crystal-Growth Processes

競争的資金等の研究課題 (6件)：

シリコンおよびダイヤモンド系薄膜の超高真空CVD
シリコン中の遷移金属・希土類元素の不純物状態
GaNの分子線エピタキシーとスピンフォトニクス
UHV-CVD of Silicon and diamond-related thin films.
Transition-Metal and Rare-Earth Impurities in Silicon

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MISC (64件)：

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書籍 (2件)：

Atomic Ordering in Epitaxial Alloy Semiconductors: from the Discoveries to the Physical Understanding
Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanism, Elsevier Science 1997
金属便覧改訂5版(分担執筆) 第2章 2.6.4 薄膜
日本金属学会編(丸善出版)

学歴 (4件)：

- 1981 大阪大学基礎工学研究科物理系
- 1981 大阪大学
- 1976 大阪大学基礎工学部電気工学
- 1976 大阪大学

学位 (1件)：

工学博士 (大阪大学)

経歴 (4件)：

1990 - 2000 神戸大学工学部電気電子工学科
1983 - 1990 大阪大学工学部材料物性工学科
1982 - 1983 米国IBM サンノゼ研究所
1982 - 1983 IBM San Jose Research Lab.

委員歴 (4件)：

1993 - 1994 応用物理学会編集委員
1994 - 日本結晶成長学会評議員
1992 - 応用物理学会応用電物性分科会幹事
1992 - 応用物理学会結晶工学分科会幹事

所属学会 (2件)：

日本結晶成長学会 , 応用物理学会

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