研究者
J-GLOBAL ID:200901011405311577   更新日: 2019年11月26日

荒木 努

アラキ ツトム | ARAKI Tsutomu
所属機関・部署:
職名: 教授
その他の所属(所属・部署名・職名) (2件):
  • 立命館大学  総合科学技術研究機構 先端マイクロ・ナノシステム技術研究センター 
  • 立命館大学  理工学研究科 
ホームページURL (1件): http://www.ritsumei.ac.jp/se/re/taraki/index.html
研究キーワード (1件): 電子材料工学, 結晶工学
論文 (179件):
  • U. Ooe, S. Mouri, S. Arakawa, F. Abas, Y. Nanishi, and T. Araki. Metal Covered van der Waals Epitaxy of Gallium Nitride Films on Graphitic Substrates by ECR-MBE. Jpn. J. Appl. Phys. 2019. 58. SC. SC1053/1-5
  • K. Morino, S. Arakawa, T. Fujii, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi. Characterization of the Electrical Properties of an InN Epilayer Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry. Jpn. J. Appl. Phys. 2019. 58. SC. SCCB22/1-4
  • D. Dobrovolskas, S. Arakawa, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, J. Mickevičius, G. Tamulaitis. Enhancement of InN Luminescence by Introduction of Graphene Interlayer. nanomaterials. 2019. 9. 3. 417/1-8
  • R. Sugie, T. Uchida, T. Fujii, and T. Araki. Luminescence from AlGaN/GaN HEMT Structures by Very-Low-Energy (100 eV) Electron Beams using Beam Deceleration Technique. Jpn. J. Appl. Phys. 2019. 58. 1. 010902/1-4
  • F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi. Threading Dislocation Reduction in InN Grown with in Situ Surface Modification by Radical Beam Irradiation. Jpn. J. Appl. Phys. 2018. 57. 3. 035502/1-4
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特許 (2件):
  • 窒化物系化合物半導体製造装置
  • 酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法並びに酸化カリウム単結晶複合体を用いた窒化物半導体膜の製方法
書籍 (1件):
  • Indium Nitride and Related Alloys
    CRC 2009
講演・口頭発表等 (681件):
  • ZnO/Si基板上および石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶構造と発光特性
    (電子情報通信学会 合同研究会 1998)
  • Structural characterization of GaN grown by hydrogen-assisted ECR-MBE using transmission electron microscope
    (7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related Growth Techniques (ICCBE-7) 1999)
  • MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討
    (電子情報通信学会 合同研究会 1999)
  • Structural Analysis of GaN Layers with Columnar Domains Grown by Hydrogen-Assisted ECR-MBE
    (8th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-8) 1999)
  • 水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE GaN成長における構造変化(II)
    (1999年 (平成11年) 秋季 第60回応用物理学会学術講演会 1999)
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学歴 (3件):
  • - 1992 大阪府立大学 工学部 金属工学科
  • - 1994 大阪府立大学大学院 工学研究科 金属工学
  • - 1996 大阪府立大学大学院 工学研究科 金属工学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (大阪府立大学)
受賞 (1件):
  • 2005/09 - 応用物理学会 応用物理学会論文賞
所属学会 (5件):
応用物理学会 ,  日本結晶成長学会 ,  日本材料学会 ,  電子情報通信学会 ,  Material Research Sociery
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