研究者
J-GLOBAL ID：200901011405311577
更新日: 2024年09月19日
荒木 努
アラキ ツトム | Araki Tsutomu
所属機関・部署：
立命館大学 理工学部電気電子工学科
立命館大学 理工学部電気電子工学科 について
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職名：
教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (2件)：
立命館大学
総合科学技術研究機構 先端マイクロ・ナノシステム技術研究センター
立命館大学
理工学研究科
ホームページURL (1件)：
http://www.ritsumei.ac.jp/se/re/taraki/index.html
研究キーワード (1件)：
電子材料工学, 結晶工学
論文 (179件)：
K. Morino, S. Arakawa, T. Fujii, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi. Characterization of the Electrical Properties of an InN Epilayer Using Terahertz Time-Domain Spectroscopic Ellipsometry. Jpn. J. Appl. Phys. 2019. 58. SC. SCCB22/1-4
U. Ooe, S. Mouri, S. Arakawa, F. Abas, Y. Nanishi, T. Araki. Metal Covered van der Waals Epitaxy of Gallium Nitride Films on Graphitic Substrates by ECR-MBE. Jpn. J. Appl. Phys. 2019. 58. SC. SC1053/1-5
D. Dobrovolskas, S. Arakawa, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, J. Mickevičius, G. Tamulaitis. Enhancement of InN Luminescence by Introduction of Graphene Interlayer. nanomaterials. 2019. 9. 3. 417/1-8
R. Sugie, T. Uchida, T. Fujii, T. Araki. Luminescence from AlGaN/GaN HEMT Structures by Very-Low-Energy (100 eV) Electron Beams using Beam Deceleration Technique. Jpn. J. Appl. Phys. 2019. 58. 1. 010902/1-4
Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Hiroyuki Takeda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, Anli Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide, et al. Surface and bulk electronic structures of unintentionally and Mg-doped In0.7Ga0.3N epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 2018. 123. 9. 095701/1-8
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特許 (2件)：
酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法並びに酸化カリウム単結晶複合体を用いた窒化物半導体膜の製方法
窒化物系化合物半導体製造装置
書籍 (1件)：
Indium Nitride and Related Alloys
CRC 2009
講演・口頭発表等 (680件)：
Effect of In Adlayer on MBE Growth of InN by DERI Method
(38th Electronic Materials Symposium 2019)
Van der Waals Epitaxy of GaN on Graphene by ECR-MBE
(Recent Progress in Graphene & 2D Materials Research (RPGR 2019) 2019)
Photoluminescence Properties of MoS2/GaN Hetero Structure
(Recent Progress in Graphene & 2D Materials Research (RPGR 2019) 2019)
縦型GaNデバイスに向けたレーザー誘起高性能・局所オーミック電極形成法の開発
(2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会 2019)
THz-TDSEによるイオン注入した4H-SiCの電気特性評価
(2019年秋季第80回応用物理学会学術講演会 2019)
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学歴 (3件)：
- 1996 大阪府立大学大学院 工学研究科 金属工学
- 1994 大阪府立大学大学院 工学研究科 金属工学
- 1992 大阪府立大学 工学部 金属工学科
学位 (1件)：
博士(工学) (大阪府立大学)
受賞 (1件)：
2005/09 - 応用物理学会 応用物理学会論文賞
所属学会 (5件)：
Material Research Sociery
, 電子情報通信学会
, 日本材料学会
, 日本結晶成長学会
, 応用物理学会
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