特許
J-GLOBAL ID：201703001663276802
グラフェン基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人グランダム特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-231673
公開番号（公開出願番号）：特開2017-095327
出願日： 2015年11月27日
公開日（公表日）： 2017年06月01日
要約：
【課題】良好にグラフェン基板を製造することができるグラフェン基板の製造方法を提供する。【解決手段】グラフェン基板の製造方法は、サファイア基板10の表面側に、C(炭素)及びグラフェン11Cの形成に利用する触媒金属であるNi(ニッケル)11Bを含む第1層11を積層する第1工程と、第1工程後に第1層11内のC(炭素)を表面側に析出させない第2層12を第1層11の表面側に積層する第2工程と、第2工程後に熱処理して第1層11内のC(炭素)をNi(ニッケル)11Bに溶解させる第3工程と、第3工程後に冷却してサファイア基板10と第1層11との間にグラフェン11Cを形成させる第4工程とを備えている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の表面側に、C(炭素)及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1層を積層する第1工程と、
前記第1工程後に前記第1層内の前記C(炭素)を表面側に析出させない第2層を前記第1層の表面側に積層する第2工程と、
前記第2工程後に熱処理して前記第1層内の前記C(炭素)を前記第1金属に溶解させる第3工程と、
前記第3工程後に冷却して前記基板と前記第1層との間にグラフェンを形成させる第4工程と、
を備えていることを特徴とするグラフェン基板の製造方法。
IPC (6件)：
C01B 32/15
, C01B 32/18
, C01B 32/182
, C23C 14/06
, C23C 14/58
, B32B 9/00
C01B31/02 101Z
, C23C14/06 F
, C23C14/58 A
, B32B9/00 A
4F100AC10
, 4F100AD11B
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100EH66
, 4F100GB90
, 4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146BB22
, 4G146BB23
, 4G146BC08
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G146CB15
, 4G146CB28
, 4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA02
, 4K029BA12
, 4K029BA34
, 4K029BB02
, 4K029BC03
, 4K029CA01
, 4K029DB02
, 4K029DB03
, 4K029DB21
, 4K029GA01
