研究者
J-GLOBAL ID:200901037665343420
更新日: 2019年07月22日
上田 修
ウエダ オサム | OSAMU UEDA
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ホームページURL (1件):
http://wwwr.kanazawa-it.ac.jp/kit_orc/
研究分野 (1件):
結晶工学
研究キーワード (6件):
劣化解析
, 発光デバイス
, 透過電子顕微鏡
, 格子欠陥
, 結晶評価
, 化合物半導体
論文 (6件):
A. Y. Liu, R. W. Herrick, UEDA OSAMU, P. M. Petroff, A. C. Gossard, J. E. Bowers. Reliability of InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Epitaxially Grown on Silicon. Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2015. 21. 6. 1900708
上田 修. 半導体発光デバイスの劣化解析と劣化抑制. 基礎・境界ソサイエティ Fundamentals Review. 2013. 6. 4. 294-304
上田 修. 信頼性と人材育成-発光デバイスの例-. 信頼性. 2013. 35. 2. 89-97
UEDA OSAMU, IKENAGA NORIAKI, M. Yoshimoto, K. Oe. Structural evaluation of GaAs1-xBix mixed crystals by TEM. Extended Abstract of Int. Conf. on InP and Related Material (IPRM 2011). 2011. Tu-3.1.4
UEDA OSAMU. A Review of Materials Issues and Degradation of III-V Compound Semiconductors and Optical Devices. ECS Trans. 2010. 33. 13. 73-92
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MISC (1件):
上田 修. Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown beta-Ga2O3 single crystals. Japanese Journal of Applied Physics. 2016. 55. 030303-1-030303-4
書籍 (2件):
2013 化合物半導体技術大全
電子ジャーナル 2013
Failure Analysis of Semiconductor Optical Devices
Springer 2012
学歴 (1件):
- 1974 東京大学 工学部 物理工学科
学位 (1件):
工学博士 (東京大学)
経歴 (15件):
2007/04 - 金沢工業大学大学院工学研究科高信頼ものづくり専攻 教授 兼ものづくり研究所東京分室長
2005/12 - 2007/03 金沢工業大学大学院工学研究科 教授 兼ものづくり研究所東京分室長
2005/04 - 2005/12 同社基盤技術研究所主席研究員
2004/04 - 2005/03 同社材料・環境技術研究所主席研究員
2003/04 - 2004/03 同社材料・環境技術研究所環境材料ステーション長
1999/04 - 2003/03 同社材料技術研究所ナノ電子材料研究部長
1996/12 - 1999/03 同社材料技術研究所主管研究員
1996/04 - 1996/12 同社基盤技術研究所主管研究員
1994/09 - 1996/03 化合物LSI研究部主任研究員
1993/06 - 1994/09 同社ULSI結晶研究部主任研究員
1992/06 - 1993/06 同社半導体結晶研究部第一研究室長
1990/12 - 1992/06 同社半導体結晶研究部第二研究室長
1987/12 - 1990/11 同社半導体結晶研究部主任研究員
1974/04 - 1987/11 株式会社富士通研究所入社、半導体材料研究部第二研究室研究員
金沢工業大学 金沢工業大学 大学院工学研究科 高信頼ものづくり専攻(虎ノ門) 教授
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所属学会 (4件):
The Electrochemical Society
, Materials Research Society
, 日本顕微鏡学会
, 応用物理学会
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