文献

J-GLOBAL ID：200902269226635662   整理番号：03A0873560

ルテニウム/有機金属化学気相成長によるランタン酸化物/シリコン電界効果トランジスタの電気的性質

Electrical Properties of Ruthenium/Metalorganic Chemical Vapor Deposited La-Oxide/Si Field Effect Transistors

著者 (3件)： SHIMIZU T (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  ISHII K (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI E (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 42  号： 11A  ページ： L1315-L1317  発行年： 2003年11月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランタン酸化物高kゲート誘電性MOSFETのゲート金属として...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0873560&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (16件)：

• 1) H. Iwai, S. Ohmi, S. Akama, C. Ohshima, A. Kikuchi, I. Kashiwagi, J. Taguchi, H. Yamamoto, J. Tonotani, Y. Kim, I. Ueda, A. Kuriyama and Y. Yoshihara: IEDM Tech. Dig., Washington D. C. (2002) p. 625.
• 2) A. Chin, Y. H. Wu, S. B. Chen, C. C. Liao and W. J. Chen: Symp. VLSI Tech., Honolulu (2000) p. 16.
• 3) C. H. Huang, S. B. Chen and A. Chin: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 710.
• 4) S. Guha, E. Cartier, M. A. Gribelyuk, N. A. Bojarczuk and M. Copel: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 2710.
• 5) M. Copel, E. Cartier and F. M. Ross: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 1607.

タイトルに関連する用語 (7件)： ルテニウム ,  有機金属化学 ,  気相成長 ,  ランタン酸化物 ,  シリコン ,  電界効果トランジスタ ,  電気的性質