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J-GLOBAL ID：200902146514034369   整理番号：02A0493928

有機金属化学気相成長によって積層させたランタン酸化物とシリコン基板の界面反応

Interface Reaction of a Silicon Substrate and Lanthanum Oxide Films Deposited by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

著者 (3件)： YAMADA H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI E (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 4A  ページ： L368-L370  発行年： 2002年04月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記界面での界面層と遷移層を調べるために,X線光電子分光,断...

シソーラス用語： *ランタン化合物 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L)

引用文献 (11件)：

• 1) G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5243.
• 2) M. Copel, M. Griebelyuk and E. Cusev: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 436.
• 3) W.-J. Oi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3269.
• 4) G. D. Wilk and R. M. Wallace: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2854.
• 5) A. Chin, Y. H. Wu, S. B. Chen, C. C. Liao and W. J. Chen: Proc. 2000 Symp. VLSI Technology (IEEE, Piscataway, 2000) p. 16.

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属化学 ,  気相成長 ,  ランタン酸化物 ,  シリコン基板 ,  界面反応