文献

J-GLOBAL ID：201702233865005618   整理番号：17A1629222

熱蒸発によるSi(100)上に堆積したBaSi_2膜の優先a軸配向の起源に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi₂ films deposited on Si(100) by thermal evaporation

著者 (6件)： Hara Kosuke O. (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Yamamoto Chiaya (Center for Creative Technology, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan) ,  Yamanaka Junji (Center for Instrumental Analysis, University of Yamanashi, 4-4-37 Takeda, Kofu, Yamanashi 400-8510, Japan) ,  Arimoto Keisuke (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Nakagawa Kiyokazu (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Usami Noritaka (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 72  ページ： 93-98  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaSi_2は薄膜太陽電池のための新たな光吸収材料である。本研究では,Si(100)基板上に堆積した蒸着BaSi_2膜の優先配向に及ぼす調製条件の影響を調べた。X線回折結果は,a軸配向粒の割合は700°Cまで基板温度を上げることによってまたは2~5分の堆積温度での焼なましにより増加し,a軸配向成長は熱力学的に好ましいことを示した。透過型電子顕微鏡と選択領域電子線回折は,BaSi_2[001]∥Si[01 1]BaSi_2(100)∥Si(100)のエピタキシャル関係を確認した。堆積前BaSi_2源の融解はa軸配向の割合を有意に増加させることを,X線回折パターンによって証明された。源前融解なしBaSi_2膜間の透過型電子顕微鏡で解析し,ミクロ組織と組成の比較は,前融解なしで,膜の底部の結晶方位は上層への移動ではなく,Ba/Si組成比は膜中の高いことを示した。得られた結果に基づき,前融解の影響を議論した。それは,初期蒸着Ba層上のエピタキシャル成長の重要性を示唆する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子回折 ,  基板温度 ,  焼なまし ,  *蒸発 ,  *バリウム ,  優先配向 ,  X線回折 ,  エピタクシー ,  熱力学 ,  透過型電子顕微鏡 ,  蒸着 ,  結晶方位
準シソーラス用語： 光吸収材 ,  薄膜太陽電池 ,  *シリコン(100) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 半導性けい化物 ,  けい化バリウム ,  結晶配向 ,  真空蒸発 ,  透過型電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 蒸発 ,  Si ,  堆積 ,  優先 ,  配向 ,  起源 ,  研究