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J-GLOBAL ID:201702233865005618   整理番号:17A1629222

熱蒸発によるSi(100)上に堆積したBaSi_2膜の優先a軸配向の起源に関する研究【Powered by NICT】

Investigation on the origin of preferred a-axis orientation of BaSi2 films deposited on Si(100) by thermal evaporation
著者 (6件):
資料名:
巻: 72  ページ: 93-98  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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BaSi_2は薄膜太陽電池のための新たな光吸収材料である。本研究では,Si(100)基板上に堆積した蒸着BaSi_2膜の優先配向に及ぼす調製条件の影響を調べた。X線回折結果は,a軸配向粒の割合は700°Cまで基板温度を上げることによってまたは2~5分の堆積温度での焼なましにより増加し,a軸配向成長は熱力学的に好ましいことを示した。透過型電子顕微鏡と選択領域電子線回折は,BaSi_2[001]∥Si[01 1]BaSi_2(100)∥Si(100)のエピタキシャル関係を確認した。堆積前BaSi_2源の融解はa軸配向の割合を有意に増加させることを,X線回折パターンによって証明された。源前融解なしBaSi_2膜間の透過型電子顕微鏡で解析し,ミクロ組織と組成の比較は,前融解なしで,膜の底部の結晶方位は上層への移動ではなく,Ba/Si組成比は膜中の高いことを示した。得られた結果に基づき,前融解の影響を議論した。それは,初期蒸着Ba層上のエピタキシャル成長の重要性を示唆する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  半導体薄膜 

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