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J-GLOBAL ID：201602249953795012   整理番号：16A0942114

イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si_1-xC_x/Si(001)構造の結晶性評価

著者 (10件)： 村上太陽 (山梨大 クリスタル研) ,  有元圭介 (山梨大 クリスタル研) ,  山中淳二 (山梨大 クリスタル研) ,  原康祐 (山梨大 クリスタル研) ,  山本千綾 (山梨大 ものづくりセ) ,  宇佐美徳隆 (名古屋大) ,  星裕介 (名古屋大) ,  有澤洋 (名古屋大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 総研) ,  中川清和 (山梨大 クリスタル研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15p-P11-8  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  緩和現象 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *結晶度 ,  *キャリア移動度 ,  正孔移動度
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  結晶性

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  歪み緩和 ,  Si ,  結晶性 ,  評価