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J-GLOBAL ID:201602249953795012   整理番号:16A0942114

イオン注入歪み緩和法を用いて形成したSi/Si1-xCx/Si(001)構造の結晶性評価

著者 (10件):
資料名:
巻: 77th  ページ: ROMBUNNO.15p-P11-8  発行年: 2016年09月01日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
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半導体の表面構造  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 
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