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J-GLOBAL ID：201702221267844099   整理番号：17A1421088

単一蒸発源を用いた非晶質SiでキャップされたBaSi_2薄膜の作製【Powered by NICT】

Fabrication of BaSi₂ thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source

著者 (7件)： Hara Kosuke O. (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Trinh Cham Thi (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Kurokawa Yasuyoshi (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Arimoto Keisuke (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Yamanaka Junji (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Nakagawa Kiyokazu (Center for Crystal Science and Technology, University of Yamanashi, 7-32 Miyamae, Kofu, Yamanashi 400-8511, Japan) ,  Usami Noritaka (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 636  ページ： 546-551  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質Si(a Si)BaSi_2膜のキャッピングはBaSi_2の太陽電池応用のための重要な技術である。本研究では,Si(100)基板上にa-Si層でキャップしたBaSi_2膜を作製するためBaSi_2の2段蒸発過程を調べた。少量のSiは最初BaSi_2蒸発段階後に残るためSiの析出は,第二段階として可能である。RamanとX線光電子分光法では,a-Siは試料表面に2段蒸発により形成されるBaと炭酸塩種が表面,BaSi_2膜は第二段階なしで作製したときに検出されるには存在しないことを示した。X線光電子分光法により決定した深さ組成プロファイルは,a-Siとa-BaSi_2の層状構造の形成を明確に示した。a-Siキャッピングのために,BaSi_2膜中のO濃度がa-Siなしの場合よりも低い,組成プロファイル,およびエネルギー分散型X線分光法の結果によって証明された。添加では,マイクロ波ー検出光伝導率減衰解析はSi/BaSi_2試料中のキャリア寿命と似ているまたはおそらく表面不動態化効果と酸素濃度の減少のためにa-Si層を持たないBaSi_2膜よりも僅かに高いことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  ケイ化物 ,  X線分光法 ,  *蒸発 ,  炭酸塩 ,  マイクロ波 ,  *ケイ素 ,  層状組織 ,  太陽電池 ,  X線光電子スペクトル ,  光伝導 ,  X線光電子分光法 ,  *アモルファスシリコン ,  エネルギー散逸 ,  キャリア寿命 ,  *バリウム

著者キーワード (5件)： けい化バリウム ,  シリサイド半導体 ,  非晶質シリコン ,  表面キャッピング ,  熱蒸発

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 蒸発源 ,  非晶質Si ,  キャップ ,  薄膜 ,  作製