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J-GLOBAL ID:201502205169023710   整理番号:15A1044664

イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si1-xCxヘテロ構造の熱的安定性

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資料名:
巻: 76th  ページ: ROMBUNNO.13P-2W-5  発行年: 2015年08月31日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  固体デバイス材料 

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