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J-GLOBAL ID：201502205169023710   整理番号：15A1044664

イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_xヘテロ構造の熱的安定性

著者 (7件)： 有澤洋 (名古屋大) ,  星裕介 (名古屋大) ,  有元圭介 (山梨大) ,  山中淳二 (山梨大) ,  中川清和 (山梨大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大) ,  宇佐美徳隆 (名古屋大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.13P-2W-5  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *イオン注入 ,  アルゴン ,  *薄膜 ,  *MBE成長 ,  X線回折 ,  *シリコンゲルマニウム合金
準シソーラス用語： *ゲルマニウムシリコン合金

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン注入 ,  欠陥 ,  作製 ,  圧縮歪み ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  熱的安定性