文献

J-GLOBAL ID：201402222812579570   整理番号：14A0682497

10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術

Multigate FinFET Device and Circuit Technology for 10nm and Beyond

著者 (9件)： 昌原明植 (産業技術総合研) ,  遠藤和彦 (産業技術総合研) ,  大内真一 (産業技術総合研) ,  松川貴 (産業技術総合研) ,  LIU Youngxun (産業技術総合研) ,  右田真司 (産業技術総合研) ,  水林亘 (産業技術総合研) ,  森田行則 (産業技術総合研) ,  太田裕之 (産業技術総合研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 13(ICD2014 1-18)  ページ： 77-82  発行年： 2014年04月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は,トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と,顕在化する特性ばらつきを如何に抑え込むか,である。FinFETを代表とする立体チャネルマルチゲートトランジスタは,それら双方の課題を解決し得る素子として注目を浴びている。本稿では,10nm以降の技術世代での集積回路実現に向け開発された新規なFinFETデバイス技術と回路技術について論じる。(著者抄録)

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  *FET【トランジスタ】 ,  フィン ,  *消費電力 ,  *分散【variance】 ,  *非晶質金属 ,  *SRAM ,  *雑音余裕 ,  データ読取 ,  電流分布 ,  ヒストグラム ,  ばらつき ,  静的雑音余裕
準シソーラス用語： マルチゲート ,  FinFET ,  待機電力 ,  金属ゲート ,  独立ゲート ,  二重ゲート

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (12件)：

• 林豊、”絶縁ゲート型電界効果トランジスタ”、特願:昭55-85706.
• D. Hisamoto, W. Lee, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, K. Asano, T. King, J. Bokar, and C. Hu, ”A folded-channel MOSFET for deep-sub-tenth micron era,” Tech. Dig. IEDM, pp.1032-1035, Dec. 1998.
• T. Matsukawa, S. O'uchi, K. Endo, Y. Ishikawa, H. Yamauchi, Y.X. Liu, J. Tsukada, K. Ishii, K. Sakamoto, and M. Masahara, ”Comprehensive analysis of variability sources of FinFET characteristics,” Tech. Dig. Symp. VLSI Technology, pp.118-119, June 2009.
• T. Matsukawa, Y.X. Liu, W. Mizubayashi, J. Tsukada, H. Yamauchi, K. Endo, Y. Ishikawa, S. O'uchi, H. Ota, S. Migita, Y. Morita, and M. Masahara, ”Suppressing V_t and G_m Variability of FinFETs Using Amorphous Metal Gate for 14nm and Beyond”, Tech. Dig. IEDM, pp. 175-178, Dec, 2012.
• M.J.M.Pelgrom, A.C.J.Duinmaijer, A.P.G.Welbers, ”Matching properties of MOS transistors,” IEEE J. Solid-State Circuits, Vol. 24, no. 5, pp.1433-1439, May 1989.

タイトルに関連する用語 (4件)： 世代 ,  マルチゲート ,  FinFET ,  回路技術