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J-GLOBAL ID:200901077771012958 更新日: 2022年09月05日

鈴木 聡

スズキ サトル | Suzuki Satoru
クリップ

講演・口頭発表等 (22件)

  • 電気化学堆積したZnOナノロッドのPLに与えるアニール効果
    (第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • 電気化学堆積した低温バッファ層がZnOナノロッド形状に与える効果
    (第63回応用物理学会春季学術講演会 2016)
  • ZnO サブミクロンロッドの光学的特性
    (第62回応用物理学会春季学術講演会 2015)
  • 電気化学堆積法による六角柱状ZnOの結晶成長
    (第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014)
  • 定電流電気化学堆積法によるZnO薄膜の作成
    (第61回応用物理学会春季学術講演会 2014)
  • 酸化物エレクトロニクス材料の省エネルギー成長技術
    (全国高専教育フォーラム 2013)
  • 電気化学堆積した酸化亜鉛薄膜の膜質改善
    (電気学会東京支部千葉支所研究発表会 2012)
  • 電気化学堆積法によるZnO薄膜の作成
    (第59回応用物理学関係連合講演会 2012)
  • LabVIEWによるDSPプログラムの開発
    (平成18年度高専教育教員研究集会 2006)
  • 反射位相差分光法によるGaNの励起子構造の観測
    (第52回応用物理学関係連合講演会 2005)
  • 反射位相差分光法を用いたZnO薄膜の光学的評価
    (第51回応用物理学関係連合講演会 2004)
  • Optical Characterization of Hexagonal CdS Layers grown on GaAs(111) by MBE
    (The 11th International Conference on II-VI Compounds 2003)
  • MBE Growth and Characterization of Hexagonal ZnCdMgSe Layers and ZnCdSe/ZnCdMgSe QW Structures on GaAs(111) Substrates
    (The 11th International Conference on II-VI Compounds 2003)
  • 六方晶CdS/GaAs(111)の励起子構造
    (第64回応用物理学学術講演会 2003)
  • MBE Growth and Characterization of Hexagonal ZnCdSe Layers on GaAs(111)A and B Substrates
    (The 4th International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes 2002)
  • MBE Growth of Hexagonal CdS on GaAs(111)B Substrate
    (The 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2003)
  • Optical Properties of Hexagonal CdS Layers Grown on GaAs(111)B
    (The 1st Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2003)
  • 六方晶CdS/GaAs(111)の光学的評価
    (第50回応用物理学関係連合講演会 2003)
  • 六方晶CdS/GaAs(111)A,BのMBE成長
    (第50回応用物理学関係連合講演会 2003)
  • GaAs(111)A,B基板上への六方晶ZnCdSSeのMBE成長
    (第49回応用物理学関係連合講演会 2002)

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