SiをドープしたAlGaN/AlGaN量子井戸からの低温における励起密度に依存する光ルミネセンス

KAJITANI Ryo; TAKEUCHI Misaichi; AOYAGI Yoshinobu; AOYAGI Yoshinobu

文献

J-GLOBAL ID：200902203038954407 整理番号：08A0557342

SiをドープしたAlGaN/AlGaN量子井戸からの低温における励起密度に依存する光ルミネセンス

Excitation-Density Dependence of Photoluminescence from Si-Doped AlGaN/AlGaN Multiple Quantum Wells at Low Temperature

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 47 号： 1 Issue 1 ページ： 47-50 発行年： 2008年01月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Al_xGa_1-xN/Al_yGa_1-yNから成る多重量子井戸(MQW)におけるSiのドーピングの効果を研究するために,アンドープのAl_0.20Ga_0.80Nの障壁層(アンドープMQW)およびSiをドープした層(Siドープ-MQW)を持つAl_0.15Ga_0.85N/Al_0.20Ga_0.80Nから成るMQWにおける10Kでの光ルミネセンス(PL)測定を,弱励起(1.8×10^-4~5.2×10^-3W/cm²)および強励起(360~1.28×10⁴W/cm²)の条件下で行った。PL測定の結果に基づいて,強励起の条件下における光照射によって誘起されるアンドープMQWへのキャリヤ注入,および弱励起の条件下におけるSiドープのAl_0.15Ga_0.85N/Al_0.20Ga_0.80Nから成るMQWへのキャリヤ注入によって,PL強度およびPLのピークエネルギーは増大し,そしてPLピークの半値全幅(FWHM)は狭まることが分かった。アンドープおよびSiドープのMQWにおける内部分極電場は,強励起の下では遮蔽されるけれども,アンドープのMQWのPL強度はSiドープのMQWのPL強度よりも強いことが分かった。PL強度の違いは,Siのドーピングによって無放射中心が形成されることに起因するものと考えられる。(翻訳著者抄録)

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体のルミネセンス

引用文献 (24件)：

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