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J-GLOBAL ID：200902247579824414   整理番号：08A0548925

AlGaNのチャンネルを持つ高電子移動度トランジスタの初めての動作

First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors

著者 (9件)： NANJO Takuma (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  TAKEUCHI Misaichi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SUITA Muneyoshi (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ABE Yuji (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  OISHI Toshiyuki (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TOKUDA Yasunori (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (RIKEN, Saitama, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 1  ページ： 011101.1-011101.3  発行年： 2008年01月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常の高電子移動度トランジスタ(HEMT)におけるGaNのチャンネル層を,バンドギャップの広いAlGaNに置換する方法は,高電圧で動作させた場合における絶縁破壊電圧を高めるための一つの手段である。しかし,バンドギャップの広いAlGaNを用いるとOhm性抵抗が増大する問題が発生する。ソース/ドレイン接触の抵抗を下げるために,Siのイオン注入技術を採用し,AlGaNのチャンネル層を持つHEMTを初めて動作させることに成功した。この結果は,将来において高周波HEMTを高出力の下で動作させるのに非常に有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *HEMT ,  バンドギャップ ,  電圧 ,  絶縁破壊 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電気抵抗 ,  電流電圧特性 ,  絶縁破壊電圧 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (7件)：

• KELLER, S. IEEE Trans. Electron Devices. 2001, 48, 552
• KIKKAWA, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 4896
• OKAMOTO, Y. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2004, 52, 2536
• KAMO, Y. 2005 IEEE Microwave Theory and Techniques Society Int. Microwave Symp. Dig. 2005
• SUITA, M. Phys. Status Solidi C. 2006, 3, 2364

タイトルに関連する用語 (3件)： AlGaN ,  チャンネル ,  高電子移動度トランジスタ