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J-GLOBAL ID:200902247579824414   整理番号:08A0548925

AlGaNのチャンネルを持つ高電子移動度トランジスタの初めての動作

First Operation of AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 011101.1-011101.3  発行年: 2008年01月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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通常の高電子移動度トランジスタ(HEMT)におけるGaNのチャンネル層を,バンドギャップの広いAlGaNに置換する方法は,高電圧で動作させた場合における絶縁破壊電圧を高めるための一つの手段である。しかし,バンドギャップの広いAlGaNを用いるとOhm性抵抗が増大する問題が発生する。ソース/ドレイン接触の抵抗を下げるために,Siのイオン注入技術を採用し,AlGaNのチャンネル層を持つHEMTを初めて動作させることに成功した。この結果は,将来において高周波HEMTを高出力の下で動作させるのに非常に有用である。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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トランジスタ 
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