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J-GLOBAL ID：200902028304170356   整理番号：92A0818331

アモルファスシリコン薄膜における結晶化誘起応力の検討

Crystallization-Induced Stress in Amorphous Silicon Thin Films.

著者 (4件)： 三浦英生 (日立 機械研) ,  太田裕之 (日立 機械研) ,  岡本紀明 (日立 機械研) ,  加賀徹 (日立 中研)
資料名： 日本機械学会論文集 A編  (Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. Series A)
巻： 58  号： 554  ページ： 1960-1965  発行年： 1992年10月 
JST資料番号： F0227B  ISSN： 0387-5008  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アモルファスシリコン薄膜の結晶化反応過程において,膜中に約1...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (10件)：

• (1) Murarka, S. P. and Retajczyk, T. F., J. Appl. Phys., 54 (1983), 2069.
• (2) J. Adamczewska and T. Budzynski, Thin Solid Films, 113(1984), 271.
• (3) Guckel, H., Randazzo, T. and Burns, D. W., J. Appl. Phm., 57 (1985), 1671.
• (4) 大出,O plus E, 99(1988), 79.
• (5) 藤井•尾崎,光学,17(1988), 230.

タイトルに関連する用語 (5件)： アモルファス ,  シリコン薄膜 ,  結晶化 ,  誘起 ,  応力