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J-GLOBAL ID：200902104898943897   整理番号：00A0154847

RFプラズマ増強化学蒸着により新しいフルオロカーボン原料から作製した低誘電率ふっ素化炭素薄膜

Fluorinated Carbon Films with Low Dielectric Constant Made from Novel Fluorocharbon Source Materials by RF Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition.

著者 (6件)： LUNGU C P (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  LUNGU A M (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  AKAZAWA M (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SAKAI Y (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SUGAWARA H (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TABATA M (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 12B  ページ： L1544-L1546  発行年： 1999年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 13.56MHzのプラズマCVDにより標記薄膜を作製した。原...

シソーラス用語： フッ素化 ,...

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分類 (2件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

引用文献 (13件)：

• 1) N. Rohrer, C. Akrout, M. Canada, D. Cawthron, B. Davari, R. Floyd, S. Geissler, R. Goldblatt, R. Houle, P. Kartschoke, D. Kramer, P. McCormick, G. Salem, R. Schulz, L. Su and L. Whitney: Dig. Tech. Papers of 1998 IEEE Int. Solid-State Circuits Conf., IEEE, New York, 1998, p. 240.
• 2) K. Endo and T. Tasumi: J. Appl. Phys. 78 (1995) 1370.
• 3) K. Endo and T. Tasumi: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2864.
• 4) K. Endo and T. Tasumi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1531.
• 5) O. Tsuji, T. Minagichi, H. Nakano and T. Tatsuta: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 4964.

タイトルに関連する用語 (8件)： RF ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  フルオロカーボン ,  原料 ,  作製 ,  低誘電率 ,  ふっ素化 ,  炭素薄膜