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J-GLOBAL ID:200902108531008100   整理番号:98A0419910

純GaN基板上に成長した高出力,長寿命のInGaN/GaN/AlGaN系レーザダイオード

High-Power, Long-Lifetime InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Grown on Pure GaN Substrates.
著者 (9件):
資料名:
巻: 37  号: 3B  ページ: L309-L312  発行年: 1998年03月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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窓の周りの二酸化けい素マスク上に横方向にGaNをエピタキシャ...
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分類 (1件):
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半導体レーザ 
引用文献 (12件):

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