純GaN基板上に成長した高出力,長寿命のInGaN/GaN/AlGaN系レーザダイオード

NAKAMURA S; SENOH M; NAGAHAMA S; IWASA N; YAMADA T; MATSUSHITA T; KIYOKU H; SUGIMOTO Y; CHOCHO K

文献

J-GLOBAL ID：200902108531008100 整理番号：98A0419910

純GaN基板上に成長した高出力,長寿命のInGaN/GaN/AlGaN系レーザダイオード

High-Power, Long-Lifetime InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Grown on Pure GaN Substrates.

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 37 号： 3B ページ： L309-L312 発行年： 1998年03月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

窓の周りの二酸化けい素マスク上に横方向にGaNをエピタキシャ...

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半導体レーザ

引用文献 (12件)：

1) For a review, see S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer-Verlag, Heidelberg, 1997).
2) K. Itaya, M. Onomura, J. Nishino, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi and M. Ishikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1315
3) G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell and J. F. Schetzena: Electron. Lett. 33 (1997) 1556.
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5) A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota and T. Tanahashi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1130

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