文献

J-GLOBAL ID：200902118407238322   整理番号：01A0886209

非共鳴近接場光CVD法によるナノメートルZnドットの製作

Fabrication of a nanometric Zn dot by nonresonant near-field optical chemical-vapor deposition.

著者 (3件)： KAWAZOE T (Japan Sci. Technol. Corp., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTSU M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 79  号： 8  ページ： 1184-1186  発行年： 2001年08月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非共鳴条件での光学近接場を利用して,気相ジエチル亜鉛の光分解...

シソーラス用語： *光CVD ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0886209&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： ジエチル亜鉛

タイトルに関連する用語 (6件)： 共鳴 ,  近接場光 ,  CVD法 ,  Zn ,  ドット ,  製作