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J-GLOBAL ID：200902120685073126   整理番号：00A0812199

4H-SiC(0001)表面のオゾン処理の効果

Effects of ozone treatment of 4H-SiC(0001) surface.
著者 (9件)：
KOSUGI R

KOSUGI R について

(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

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ICHIMURA S

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(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN について

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KUROKAWA A

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(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN について

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KOIKE K

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(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN について

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FUKUDA K

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(Ultra-low Loss Power Device Technol. Res. Body, Tsukuba, JPN)

Ultra-low Loss Power Device Technol. Res. Body, Tsukuba, JPN について

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SUZUKI S

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(Ultra-low Loss Power Device Technol. Res. Body, Tsukuba, JPN)

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OKUSHI H

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(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN について

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YOSHIDA S

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(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN について

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ARAI K

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(Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN)

Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN について


資料名：
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

Applied Surface Science について


巻： 159/160  ページ： 550-555  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*炭化ケイ素

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分類 (2件)：
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試料技術 
(BA02070O)

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,  半導体の表面構造 
(BK15030A)

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タイトルに関連する用語 (2件)：
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4H-SiC

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オゾン処理

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