低転位密度のGaN基板上に成長させた高出力で長寿命のInGaN多重量子井戸レーザダイオード

NAGAHAMA S; IWASA N; SENOH M; MATSUSHITA T; SUGIMOTO Y; KIYOKU H; KOZAKI T; SANO M; MUKAI T

文献

J-GLOBAL ID：200902123246819714 整理番号：00A0718597

低転位密度のGaN基板上に成長させた高出力で長寿命のInGaN多重量子井戸レーザダイオード

High-Power and Long-Lifetime InGaN Multi-Quantum-Well Laser Diodes Grown on Low-Dislocation-Density GaN Substrates.

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資料名：
巻： 39 号： 7A ページ： L647-L650 発行年： 2000年07月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

自立したGaN上にエピタキシャル横方向選択成長させたGaNを...

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半導体レーザ

引用文献 (14件)：

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