Naフラックス法により合成したGaN単結晶の成長条件と結晶形態

AOKI M; YAMANE H; SHIMADA M; SARAYAMA S; DISALVO F J

文献

J-GLOBAL ID：200902127998091006 整理番号：01A0986348

Naフラックス法により合成したGaN単結晶の成長条件と結晶形態

Growth Conditions and Morphology of GaN Single Crystals Fabricated by the Na Flux Method.

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資料名：
巻： 109 号： 1274 ページ： 858-862 発行年： 2001年10月01日
JST資料番号： F0382A ISSN： 0914-5400 CODEN： JCSJEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

GaNを利用する緑色や青色発光ダイオードは実用化済みで,室温...

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その他の無機化合物の結晶成長

引用文献 (22件)：

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