水平型冷壁の化学気相蒸着により成長させた4H-SiCにおけるZ<sub>1</sub>中心の濃度の高感度な解析

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J-GLOBAL ID：200902133029144674 整理番号：02A0521569

水平型冷壁の化学気相蒸着により成長させた4H-SiCにおけるZ₁中心の濃度の高感度な解析

High-Sensitivity Analysis of Z₁ Center Concentration in 4H-SiC Grown by Horizontal Cold-Wall Chemical Vapor Deposition.

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巻： 41 号： 5A ページ： 2987-2988 発行年： 2002年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

種々の成長の条件下で水平型冷壁の化学気相蒸着により作製した4...

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引用文献 (10件)：

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