分子ビームエピタクシーにより(775)B GaAs基板上に成長させた積層InGaAs量子細線レーザの高い特性温度(T0=243K)

OHNO Y; KANAMORI H; SHIMOMURA S; HIYAMIZU S

文献

J-GLOBAL ID：200902137656627228 整理番号：02A0597251

分子ビームエピタクシーにより(775)B GaAs基板上に成長させた積層InGaAs量子細線レーザの高い特性温度(T₀=243K)

High characteristic temperature (T₀=243K) of stacked InGaAs quantum wire lasers grown on (775)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy.

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巻： 20 号： 3 ページ： 1270-1273 発行年： 2002年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

積層In0.15Ga0.85...

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半導体レーザ , 半導体薄膜

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