文献

J-GLOBAL ID：200902138891310475   整理番号：02A0616882

DUV及びVUVリソグラフィー用に化学増幅を用いた表面シリル化単一層レジスト

A Surface-Silylated Single-Layer Resist Using Chemical Amplification for Deep-UV and Vacuum-UV Lithography.

著者 (5件)： SUGITA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  YAMASHITA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  HARADA K (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  KUSHIDA M (Chiba Univ., Chiba, JPN) ,  SAITO K (Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 15  号： 3  ページ： 367-370  発行年： 2002年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先に,約200nm厚の表面シリル化サブ層と900~1100n...

シソーラス用語： 真空紫外線 ,...
準シソーラス用語： 深紫外線 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0616882&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L0202A") }}

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子と低分子との反応  (CG03020L) ,  各種写真法  (ZA03040M)

引用文献 (6件)：

• 1) K. Sugita, M. Ikagawa, K. Harada, M. Kushida and K. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) 669.
• 2) K. Sugita, M. Ikagawa, Liew C. M., M. Yamashita, K. Harada, M. Kushida and K. Saito, J. Photopolym. Sci. Technol. 13 (2000) 535.
• 3) K. Sugita, M. Ikagawa, Liew C. M., M. Yamashita, K. Harada, M. Kushida and K. Saito, in "Forefront of Lithographic Materials Research" (Proc. Intern'l Conf. Photopolym. (McAfee, NJ, Oct.2000)), H. Ito, M. M. Khojasteh and W. Li Eds., Soc. Plastic Eng., Hopewell Junction, NY (2001) p.203.
• 4) K. Sugita, M. Yamashita, Liew C. M., K. Harada, M. Kushida and K. Saito, Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 6658.
• 5) S. Kishimura, M. Sasago, M. Shirai and M. Tsunooka, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 7104.

タイトルに関連する用語 (7件)： VUV ,  リソグラフィー ,  化学 ,  増幅 ,  シリル化 ,  単一層 ,  レジスト