線幅ゆらぎが最小のナノパターンを形成するための三次元シロキサンレジスト

NAMATSU H; TAKAHASHI Y; YAMAZAKI K; YAMAGUCHI T; NAGASE M; KURIHARA K

文献

J-GLOBAL ID：200902138976447283 整理番号：98A0348904

線幅ゆらぎが最小のナノパターンを形成するための三次元シロキサンレジスト

Three-dimensional siloxane resist for the formation of nanopatterns with minimum linewidth fluctuations.

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資料名：
巻： 16 号： 1 ページ： 69-76 発行年： 1998年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

レジストパターン形成及びその線幅ゆらぎの低減の観点から,三次...

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固体デバイス製造技術一般

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