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J-GLOBAL ID：200902143338189874   整理番号：02A0108962

昇華閉空間技術による炭化けい素の結晶成長におけるTaの効果

Effect of Tantalum in Crystal Growth of Silicon Carbide by Sublimation Close Space Technique.

著者 (4件)： FURUSHO T (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  LILOV S K (Univ. Sofia, Sofia, BGR) ,  OHSHIMA S (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN) ,  NISHINO S (Kyoto Inst. Technol., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 12  ページ： 6737-6740  発行年： 2001年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 昇華閉空間技術(SCST)によるSiCのエピタキシャル成長を...

シソーラス用語： 昇華 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (12件)：

• 1) T. Yoshida, Y. Nishio, S. K. Lilov and S. Nishino: Mater. Sci. Forum 264-268 (1998) 158.
• 2) T. Furusho, K. Matsumoto, H. Harima and S. Nishino: Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 217.
• 3) S. Yu. Karpov, Yu. N. Makarov and M. S. Ramm: Phys. Status Solidi B 202 (1997) 201.
• 4) M. Tuominen, R. Yakimova, A. Kakanakova-Georgieva, M. Syväjärvi and E. Janzén: J. Cryst. Growth 193 (1998) 101.
• 5) Yu. M. Tairov: Mater. Sci. & Eng. B <B>29</B> (1995) 83.

タイトルに関連する用語 (5件)： 昇華 ,  閉空間 ,  炭化けい素 ,  結晶成長 ,  Ta