文献

J-GLOBAL ID：200902144440420811   整理番号：99A0999466

イオン注入により合成した窒化ほう素薄膜の微細構造の観察

Microstructural Observation of Boron Nitride Films Synthesized by Ion Implantation.

著者 (4件)： HU C (Mie Univ., Mie, JPN) ,  KOTAKE S (Mie Univ., Mie, JPN) ,  SUZUKI Y (Mie Univ., Mie, JPN) ,  SENOO M (Mie Univ., Mie, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 10  ページ： 6054-6057  発行年： 1999年10月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rfスパッタリングにより,単結晶Si(100)基板上にほう素...

シソーラス用語： *イオン注入 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (16件)：

• 1) O. Burat, D. Bouchier, V. Stambouli and G. Gautherin: J. Appl. Phys. 68 (1990) 2780.
• 2) T. Wada and N. Yamashita: J. Vac. Sci. & Technol. A 10 (1992) 515.
• 3) D. J. Kester and R. Messier: J. Appl. Phys. 72 (1992) 504.
• 4) H. Kawashima and N. Shibata: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 5758.
• 5) T. Baazi and E. J. Knystautas: Thin Solid Films 232 (1993) 185.

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  窒化ほう素 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  観察