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J-GLOBAL ID：200902147971760942   整理番号：95A0628043

6H-SiCへの窒素イオン注入と高温耐放射線性ダイオードへの応用

Nitrogen Ion Implantation into 6H-SiC and Application to High-Temperature, Radiation-Hard Diodes.

著者 (4件)： YAGUCHI S (Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Kobe, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OHYAMA N (Mitsubishi Heavy Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34  号： 6A  ページ： 3036-3042  発行年： 1995年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC{0001}エピ層へのNイオン注入を体系的に研究...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 高温素子 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (32件)：

• TAIROV, Yu. M. J. Cryst. Growth. 1981, 52, 146
• KURODA, N. Ext. Abstr. 19th Conf. Solid State Devices and Materials. 1987, 227
• KONG, H. S. J. Appl. Phys. 1988, 64, 2672
• NEUDECK, P. G. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1386
• BHATNAGAR, M. IEEE Electron Device Lett. 1992, 13, 501

タイトルに関連する用語 (6件)： 6H-SiC ,  窒素イオン ,  注入 ,  耐放射線性 ,  ダイオード ,  応用