文献

J-GLOBAL ID：200902151284111982   整理番号：01A0700107

エピタキシャル及び非エピタキシャルn-6H-SiC金属-酸化物-半導体キャパシタのX線照射応答

X-Ray Radiation Response of Epitaxial and Nonepitaxial n-6H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors.

著者 (5件)： DE VASCONCELOS E A (Univ. Federal de Pernambuco, PE, BRA) ,  DA SILVA E F JR (Univ. Federal de Pernambuco, PE, BRA) ,  KATSUBE T (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YOSHIDA S (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  NISHIOKA Y (Texas Instruments Japan Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 4B  ページ： 2987-2990  発行年： 2001年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線照射による標記キャパシタの界面トラップ発生を調べた。低エ...

シソーラス用語： *MOS構造 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0700107&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (19件)：

• 1) M. Yoshikawa, H. Itoh, Y. Morita, I. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura and S. Yoshida: J. Appl. Phys. 70 (1991) 1309.
• 2) J. M. McGarrity, F. B. McLean, W. M. De Lancey, J. Palmour, C. Carter, J. Edmond and R. E. Oakley: IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-39 (1992) 1974.
• 3) V. V. Afanasev, A. Stesmans, M. Bassler, G. Pensl, M. J. Schulz and C. I. Harris: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 2141.
• 4) L. A. Lipkin and J. W. Palmour: J. Electron. Mater. 25 (1996) 909.
• 5) M. K. Das, J. A. Cooper Jr. and M. R. Melloch: J. Electron. Mater. 27 (1998) 353.

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  6H-SiC ,  酸化物 ,  キャパシタ ,  X線照射 ,  応答