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J-GLOBAL ID：200902151319072489   整理番号：01A0078752

多孔質シリカ膜のCVD法による作製

Chemical Vapor Deposition Based Preparation on Porous Silica Films.

著者 (4件)： UCHIDA Y (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  KATOH T (Teikyo Univ. Sci. and Technol., Yamanashi, JPN) ,  SUGAHARA S (Tokyo Inst. Technol, Tokyo, JPN) ,  MATSUMURA M (Tokyo Inst. Technol, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 11B  ページ： L1155-L1157  発行年： 2000年11月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(NCO)₄,N(CH<sub>3...

シソーラス用語： *多孔質体 ,...
準シソーラス用語： *シリカ ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (2件)： トリメチルアミン ,  ビス(ジメチルアミノ)ジフェニルシラン

引用文献 (9件)：

• 1) D. Tobben, P. Weigand, M. J. Shapiro and S. A. Cohen: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 443 (1997) 195.
• 2) C. Jin, S. List and E. Zielinski: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 511 (1998) 213.
• 3) T. Ramos, K. Rhoderick, R. Roth, L. Brungardt, S. Wallace, J. Drage, J. Dunne, D. Endisch, R. Katsanes, N. Viernes and D. M. Smith: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 511 (1998) 105.
• 4) Y. Uchida, S. Takei and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 1509.
• 5) Y. Uchida, K. Taguchi, T. Nagai, S. Sugahara and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 6369.

タイトルに関連する用語 (4件)： 多孔質 ,  シリカ膜 ,  CVD法 ,  作製