ヘリコン波で励起したO2-Arプラズマおよびフォーミングガスを用いた良好な電気的品質を持つSi酸化物の低温における成長

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J-GLOBAL ID：200902152529431135 整理番号：00A0221938

ヘリコン波で励起したO₂-Arプラズマおよびフォーミングガスを用いた良好な電気的品質を持つSi酸化物の低温における成長

Low-Temperature Growth of Si Oxide with Good Electrical Qualities Using Helicon-Wave-Excited O₂-Ar Plasma and Forming Gas Annealing.

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資料名：
巻： 39 号： 1 ページ： 8-13 発行年： 2000年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

p型Si(100)基板上に標記のように酸化物膜を成長させた。...

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金属-絶縁体-半導体構造 , 酸化物薄膜

引用文献 (19件)：

1) S. S. Kim, D. J. Stephens, G. Lucovsky, G. G. Fountain and R. J. Markunas: J. Vac. Sci. & Technol. A 8 (1980) 2039.
2) J. Batey and E. Tierney: J. Appl. Phys. 60 (1986) 3136.
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