文献

J-GLOBAL ID：200902153486039810   整理番号：01A0052313

ULSIのメタライゼーションのためのZrN/Zr二層薄膜上の(111)Cu薄膜の単一配向成長

Single-Oriented Growth of (111) Cu Film on Thin ZrN/Zr Bilayered Film for ULSI Metallization.

著者 (4件)： YANAGISAWA H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  SASAKI K (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  MIYAKE H (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN) ,  ABE Y (Kitami Inst. Technol., Kitami, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 10  ページ： 5987-5991  発行年： 2000年10月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折とAuger電子分光解析によって(111)Cu配向に...

シソーラス用語： 超LSI ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (17件)：

• 1) S. Zaima and Y. Yasuda: Oyo Buturi 63 (1994) 1093 [in Japanese].
• 2) T. Yamauchi, S. Zaima, K. Mizuno, Y. Koide and Y. Yasuda: J. Appl. Phys. 69 (1991) 7050.
• 3) T. Takewaki, R. Kaihara, T. Ohmi and T. Nitta: Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. (IEEE, New York, 1995) p. 253.
• 4) C. Ryu, A. L. S. Loke, T. Nogami and S. S. Wong: Int. Reliability Phys. Symp., Denver (IEEE, New York, 1997) p. 201.
• 5) K. Abe, Y. Harada and H. Onoda: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>17</B> (1999) 1464.

タイトルに関連する用語 (7件)： ULSI ,  メタライゼーション ,  Zr ,  薄膜 ,  Cu ,  配向 ,  成長