文献

J-GLOBAL ID：200902154345420044   整理番号：01A0863056

トンネル接合をもつGaNをベースにした発光ダイオード

GaN-Based Light Emitting Diodes with Tunnel Junctions.

著者 (9件)： TAKEUCHI T (Agilent Technol. Lab., CA, USA) ,  HASNAIN G (Agilent Technol. Lab., CA, USA) ,  CORZINE S (Agilent Technol. Lab., CA, USA) ,  HUESCHEN M (Agilent Technol. Lab., CA, USA) ,  KOCOT C (Agilent Technol. Lab., CA, USA) ,  BLOMQVIST M (Agilent Technol. Lab., CA, USA) ,  KRAMES M R (Lumileds Lighting, CA, USA) ,  COOK L W (Lumileds Lighting, CA, USA) ,  STOCKMAN S A (Lumileds Lighting, CA, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 8B  ページ： L861-L863  発行年： 2001年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN発光ダイオード構造に埋め込んだトンネル接合による正孔注...

シソーラス用語： トンネル接合 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムインジウム

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (19件)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iawsa and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L797.
• 2) J. J. Wierer, D. A. Steigerwald, M. R. Krames, J. J. O'Shea, M. J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P. S. Martin, S. Subaramanya, W. Goetz, N. F. Gardner, R. S. Kern and S. A. Stockman: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3379.
• 3) I. Akasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike and H. Amano: Electron. Lett. 32 (1996) 1105.
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74.
• 5) G. Hasnain, T. Takeuchi, R. Schneider, S. Song, R. Twist, M. Blomqvist, C. Kocot and C. Flory: Electron. Lett. 36 (2000) 1779.

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネル接合 ,  GaN ,  発光ダイオード