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J-GLOBAL ID：200902155742079711   整理番号：99A0991386

無酸素水を用いて原子レベルでSi(111)表面を平坦にする非常に簡単な方法

A Very Simple Method of Flattening Si(111) Surface at an Atomic Level Using Oxygen-Free Water.

著者 (2件)： FUKIDOME H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUMURA M (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 10A  ページ： L1085-L1086  発行年： 1999年10月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記を達成するために室温で化学的脱酸素剤として亜硫酸イオンを...

シソーラス用語： *脱酸素 ,...

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分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• 1) G. S. Higashi and Y. J. Chabal: Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology, ed. W. Kern (Noyes Publications, New Jersey, 1993) p. 433.
• 2) G. S. Higashi, Y. J. Chabal, G. W. Trucks and K. Raghavachari: Appl. Phys. Lett. 56 (1990) 656.
• 3) P. Jakob and Y. J. Chabal: J. Chem. Phys. 95 (1991) 2897.
• 4) S. Watanabe, N. Nakayama and T. Ito: Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 1458.
• 5) S. Watanabe, K. Horiuchi and T. Ito: Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 3420.

タイトルに関連する用語 (2件)： 原子 ,  Si