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J-GLOBAL ID：200902161350949572   整理番号：00A0075676

1μmゲート長を持つダイヤモンド薄膜の高効率な金属-半導体電界効果トランジスタ

High-Performance Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with 1μm Gate Length.

著者 (6件)： UMEZAWA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TSUGAWA K (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMANAKA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI D (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KAWARADA H (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 11A  ページ： L1222-L1224  発行年： 1999年11月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホモエピタクシー成長のp型ダイヤモンド薄膜を用いて標題の金属...

シソーラス用語： *MESFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• 1) S. Koizumi, M. Kamo, Y. Sato, H. Ozaki and T. Inuzuka: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 1065.
• 2) W. Tsai, M. Delfino, D. Modul, M. Riaziat, L. Y. Ching, G. Reynolds and C. B. Cooper: IEEE Electron Device Lett. EDL-12 (1991) 157.
• 3) H. Shiomi, Y. Nishibayashi, N. Toda and S. Shikata: IEEE Electron Device Lett. EDL-16 (1995) 36.
• 4) T. Maki, S. Shikata, M. Komori, Y. Sakaguchi, K. Sakuta and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L1446.
• 5) K. Hayashi, S. Yamanaka, H. Okushi and K. Kajimura: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 376.

タイトルに関連する用語 (4件)： ゲート長 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  高効率 ,  金属-半導体電界効果トランジスタ