Arビーム表面活性化による室温室温におけるウエハボンディングに及ぼす表面粗さの効果

文献

J-GLOBAL ID：200902165751965207 整理番号：98A0804739

Effect of Surface Roughness on Room-Temperature Wafer Bonding by Ar Beam Surface Activation.

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資料名：
巻： 37 号： 7 ページ： 4197-4203 発行年： 1998年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

真空中で1.2keVの運動エネルギーを持つArの原子ビームエ...

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半導体の表面構造 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (55件)：

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