基本横モードで50°Cで動作可能な紫色InGaN/GaN/AlGaNベースのレーザダイオード

NAKAMURA S; SENOH M; NAGAHAMA S; MATSUSHITA T; KIYOKU H; SUGIMOTO Y; KOZAKI T; UMEMOTO H; MUKAI T

文献

J-GLOBAL ID：200902168516089768 整理番号：99A0442013

基本横モードで50°Cで動作可能な紫色InGaN/GaN/AlGaNベースのレーザダイオード

Violet InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes Operable at 50°C with a Fundamental Transverse Mode.

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巻： 38 号： 3A ページ： L226-L229 発行年： 1999年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

サファイア基板上に標記多重量子井戸のヘテロ構造レーザダイオー...

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半導体レーザ

引用文献 (16件)：

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