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J-GLOBAL ID：200902169011119197   整理番号：97A0349489

ネルンスト素子の候補としてのInSb熱電半導体の輸送係数

Transport coefficients of thermoelectric semiconductor InSb-a candidate for the Nernst element.

著者 (4件)： NAKAMURA H (National Inst. Fusion Sci., Nagoya, JPN) ,  IKEDA K (Graduate Univ. Advanced Studies, Nagoya, JPN) ,  YAMAGUCHI S (National Inst. Fusion Sci., Nagoya, JPN) ,  KURODA K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Advanced Science  (Journal of Advanced Science)
巻： 8  号： 3/4  ページ： 153-157  発行年： 1996年 
JST資料番号： L0590A  ISSN： 0915-5651  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InSbは室温における電子移動度が高く,Nernst素子とし...

シソーラス用語： Nernst効果 ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (19件)：

• UEMURA, K. Netsudenn Handoutai To Sono Ouyou. 1988
• YAMAGUCHI, S. Proc. 7th Int. Conf. Emerging Nucl. Energy Systems, Chiba, Japan, 1994. 1994, 495
• YAMAGUCHI, S. Proc. 12th Int. Conf. Thermoelectrics, Yokahama, Japan, 1994. 1994, 502
• YAMAGUCHI, S. Journal of Plasma and Fusion Research Dai 10 Kai Nenkai Yokou-shu, 1993. 1993, 154
• YAMAGUCHI, S. Teion Kougaku Chou-Dendou Gakkai Shunki Kouenkai Yokou-shu, 1995. 1995, 4

タイトルに関連する用語 (2件)： InSb ,  輸送係数