文献

J-GLOBAL ID：200902170495329890   整理番号：02A0642852

SiNバッファ層がある高性能の348nmAlGaN/GaN基紫外発光ダイオード

High-Performance 348 nm AlGaN/GaN-Based Ultraviolet-Light-Emitting Diode with a SiN Buffer Layer.

著者 (9件)： LEE Y-B (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  WANG T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  LIU Y-H (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  AO J-P (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  IZUMI Y (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  LACROIX Y (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  LI H-D (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  BAI J (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  SAKAI S (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 7A  ページ： 4450-4453  発行年： 2002年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高光出力のAlGaN/GaN単一量子井戸(SQW)に基づく3...

シソーラス用語： *窒化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (9件)：

• 1) T. Wang, Y. H. Liu, Y. B. Lee, Y. Izumi, H. D. Li, J. Bai, S. Sakai: J. Cryst. Growth 235 (2002) 177.
• 2) J. Han, M. H. Crawford, R. J. Shul, J. J. Figiel, M. Banas, L. Zhang, Y. K. Song, H. Zhou and A. V. Nurmikko: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1688.
• 3) T. Nishida, H. Saito and N. Kobayashi: Ext. Abstr. 48th Spring Meet. Japan Society of Applied Physics and Related Societies. Tokyo, March 28-31/2001, p. 367.
• 4) M. Iwaya, S. Terao, R. Nakamura, S. Kamiyama, H. Amano and I. Akasaki: Ext. Abstr. 48th Spring Meet. Japan Society of Applied Physics and Related Societies. Tokyo, March 28-31/2001, p. 366.
• 5) T. Nishida, H. Saito and N. Kobayashi: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 399.

タイトルに関連する用語 (5件)： SiN ,  バッファ層 ,  高性能 ,  GaN ,  紫外発光ダイオード