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J-GLOBAL ID：200902174664709716   整理番号：00A0644366

故意に形成させた「V欠陥」がGaInN単一量子井戸の発光効率に及ぼす効果

Effect of Intentionally Formed ‘V-Defects’ on the Emission Efficiency of GaInN Single Quantum Well.

著者 (6件)： TAKAHASHI H (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  ITO A (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  TANAKA T (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  WATANABE A (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  OTA H (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  CHIKUMA K (Pioneer Corp., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 6B  ページ： L569-L571  発行年： 2000年06月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 貫通転位の場所に故意に形成させた「V欠陥」(六角形の孔)がM...

シソーラス用語： *格子欠陥 ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

引用文献 (12件)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74.
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1568.
• 4) Y. Kimura, M. Miyachi, H. Takahashi, T. Tanaka, M. Nishitsuka, A. Watanabe, H. Ota and K. Chikuma: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1231.
• 5) S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1249.

タイトルに関連する用語 (3件)： 欠陥 ,  単一量子井戸 ,  発光効率