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J-GLOBAL ID：200902175729324902   整理番号：01A0700121

無転位シリコン中の置換型ニッケル原子の内方拡散とアニール過程

In-Diffusion and Annealing Processes of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon.

著者 (3件)： TANAKA S (Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  IKARI T (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN) ,  KITAGAWA H (Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 5A  ページ： 3063-3068  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： りんドープn型Si表面にNiを蒸着し,温度960°C,窒素ガス...

シソーラス用語： 無転位結晶 ,...

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分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

引用文献 (16件)：

• 1) M. Yoshida and K. Saito: Jpn. J. Appl. Phys. 6 (1967) 573.
• 2) H. Kitagawa, K. Hashimoto and M. Yoshida: Jpn. J. Appl. Phys. 21 (1982) 276.
• 3) H. Kitagawa, K. Hashimoto and M. Yoshida: Physica B 116 (1983) 323.
• 4) H. Kitagawa and H. Nakashima: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 305.
• 5) H. Kitagawa, S. Tanaka, H. Nakashima and M. Yoshida: J. Electron. Mater. 20 (1991) 441.

タイトルに関連する用語 (7件)： 転位 ,  シリコン ,  置換 ,  ニッケル ,  原子 ,  拡散 ,  アニール過程