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J-GLOBAL ID：200902180382924010   整理番号：02A0462066

RF熱プラズマ蒸発によるAlドープZnO薄膜の成膜

Preparation of Al-doped ZnO thin films by RF thermal plasma evaporation.

著者 (5件)： TSUJINO J (Hokkaido Electric Power Co., Inc., Ebetsu, JPN) ,  HOMMA N (Hokkaido Electric Power Co., Inc., Ebetsu, JPN) ,  SUGAWARA T (Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN) ,  SHIMONO I (Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN) ,  ABE Y (Hokkaido Industrial Res. Inst., Sapporo, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 407  号： 1/2  ページ： 86-91  発行年： 2002年03月22日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlドープZnO薄膜をRF熱プラズマ蒸発によって成膜し,酸素...

シソーラス用語： *薄膜成長 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  熱プラズマ ,  蒸発 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  成膜