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J-GLOBAL ID：200902181280855649   整理番号：98A0089892

準安定原子で衝撃したSiO2/Si界面における正電荷発生

Positive Charge Generation at a SiO2/Si Interface due to Bombardment with Metastable Atoms.
著者 (5件)：
ONO T

ONO T について

(Hitachi, Ltd., Yamaguchi, JPN)

Hitachi, Ltd., Yamaguchi, JPN について

, 
ITABASHI N

ITABASHI N について

(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN について

, 
OCHIAI I

OCHIAI I について

(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN について

, 
YAMAMOTO S

YAMAMOTO S について

(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN について

, 
MOCHIJI K

MOCHIJI K について

(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 36  号： 11  ページ： 6718-6721  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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プラズマ促進プロセス時にULSI素子に発生する損傷の起源を明...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ケイ素

ケイ素 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*プラズマプロセシング

プラズマプロセシング について

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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
(BK16123E)

半導体の放射線による構造と物性の変化 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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衝撃

衝撃 について

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SiO2

SiO2 について

, 
Si

Si について

, 
界面

界面 について

, 
正電荷

正電荷 について


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