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J-GLOBAL ID：200902184038164835   整理番号：98A0109782

純オゾンビームの発生とシリコン極薄酸化膜作製への応用

Generation of High-purity Ozone Beam and Its Application to the Formation of Ultra-thin Silicon Dioxide Film.

著者 (4件)： 一村信吾 (電総研) ,  野中秀彦 (電総研) ,  黒河明 (電総研) ,  中村健 (電総研)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 18  号： 12  ページ： 766-774  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高純度オゾンビーム発生装置の構成と特徴を紹介し,その薄膜作成...

シソーラス用語： 酸化膜 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (45件)：

• 1) 石川順三: 応用物理 62, 1180 (1993).
• 2) 水谷 巽, 湯之上隆, 横川賢悦: 応用物理 59, 1496 (1990).
• 3) 例えば, L.E. Katz: “VLSI Technology”, 2nd ed., ed. by S.M. Sze (McGraw-Hill, New York, 1988) p.131.
• 4) M. Horvath, L. Bititzky and J. Huettner: “Ozone”; (Elsevier, New York, 1985).
• 5) 各種酸化源の特徴は, 次の解説にまとめられている。H. Nonaka, S. Ichimura, T. Shimizu and K. Arai: Critical Review in Solid State and Materials Science 20, 285 (1995).

タイトルに関連する用語 (6件)： オゾン ,  ビーム ,  シリコン ,  酸化膜 ,  作製 ,  応用