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J-GLOBAL ID：200902186942716646   整理番号：03A0050147

金属酸化物半導体のための信頼性のあるHfO₂/HfSi_xO_yゲート-誘電体の形成

Formation of Reliable HfO₂/HfSi_xO_y Gate-Dielectric for Metal-Oxide-Semiconductor Devices.

著者 (6件)： QUAN Y C (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE J E (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KANG H (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  ROH Y (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  JUNG D (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  YANG C-W (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 11B  ページ： 6904-6907  発行年： 2002年11月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物半導体(MOS)デバイス中のゲート酸化物のためのH...

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (19件)：

• 1) G. E. Moore: Electronics 38 (1965) 114.
• 2) K. S. Tang, W. S. Lau and G. S. Samudra: IEEE Circuits Devices Magn. 13 (1997) 27.
• 3) G. B. Alers, R. M. Fleming, Y. H. Wong, B. Dennis, A. Pinczuk, G. Redinho, R. Urdahl, E. Ong and S. Hasan: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 1308.
• 4) C. Chaneliere, J. L. Autran, R. A. B. Devine and B. Balland: Mater. Sci. Eng. R. 22 (1998) 269.
• 5) T. S. Jeon, J. M. White and D. L. Kwong: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 368.

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属酸化物半導体 ,  HfO2 ,  ゲート ,  誘電体