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J-GLOBAL ID：200902188885607579   整理番号：01A0156933

無機電子線レジストプロセスを用いたSiナノ細線メモリトランジスタの作製技術

Fabrication technology of a Si nanowire memory transistor using an inorganic electron beam resist process.

著者 (9件)： TSUTSUMI T (Meiji Univ., Kanagawa, JPN) ,  ISHII K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  HIROSHIMA H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  HAZRA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  YAMANAKA M (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SAKATA I (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TAGUCHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI E (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TOMIZAWA K (Meiji Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 18  号： 6  ページ： 2640-2645  発行年： 2000年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無機SiO₂電子線(EB)レジストプロ...

シソーラス用語： *電子線レジスト ,...
準シソーラス用語： 無機レジスト

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子線レジスト ,  プロセス ,  Si ,  ナノ細線 ,  トランジスタ ,  作製技術