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J-GLOBAL ID:200902188885607579   整理番号:01A0156933

無機電子線レジストプロセスを用いたSiナノ細線メモリトランジスタの作製技術

Fabrication technology of a Si nanowire memory transistor using an inorganic electron beam resist process.
著者 (9件):
資料名:
巻: 18  号:ページ: 2640-2645  発行年: 2000年11月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般  ,  トランジスタ 

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