p-Si/β-FeSi2粒子/n-Si発光ダイオードからの発光に対するβ-FeSi2の埋込みとその結果のβ-FeSi2中の歪みへのSiの成長温度の影響

SUEMASU T; NEGISHI Y; TAKAKURA K; HASEGAWA F; CHIKYOW T

文献

J-GLOBAL ID：200902191267352870 整理番号：01A0976265

p-Si/β-FeSi₂粒子/n-Si発光ダイオードからの発光に対するβ-FeSi₂の埋込みとその結果のβ-FeSi₂中の歪みへのSiの成長温度の影響

Influence of Si growth temperature for embedding β-FeSi₂ and resultant strain in β-FeSi₂ on light emission from p-Si/β-FeSi₂ particles/n-Si light-emitting diodes.

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資料名：
巻： 79 号： 12 ページ： 1804-1806 発行年： 2001年09月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si/β-FeSi₂粒子/Si構造を,...

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半導体のルミネセンス , 半導体薄膜

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