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J-GLOBAL ID：200902192566781350   整理番号：98A0169551

プラズマ損傷Siのフォトレフレクタンス分光法によるin-situ評価

In-situ Characterization of Plasma-damaged Si by Photoreflectance Spectroscopy.

著者 (5件)： 和田秀夫 (大阪大 大学院) ,  江利口浩二 (松下電器産業) ,  藤本晶 (和歌山工高専) ,  金島岳 (大阪大 大学院) ,  奥山雅則 (大阪大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 97  号： 446(SDM97 164-177)  ページ： 35-40  発行年： 1997年12月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 非破壊・非接触の光学的評価手法であるフォトレフレクタンス(P...

シソーラス用語： *フォトリフレクタンス ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (7件)：

• ASPNES, D. E. Handbook of Semiconductors. 1980, 2, 109
• GLEMBOCKI, O. J. Appl. Phys. Lett. 1985, 46, 970
• GLEMBOCKI, O. J. Proceedings of the Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers, Los Angeles, 1985. 1985, 524, 86
• IMAI, T. 電子情報通信学会. 1996, SDM96-148
• ERIGUCHI, K. Proceedings of Plasma Process-Induced Damage, 1997. 1997, 215

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ損傷 ,  Si ,  フォト ,  レフレクタンス ,  分光法 ,  評価