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J-GLOBAL ID：200902196624234085   整理番号：04A0174601

高kゲート絶縁体のためのZrO₂,HfO₂及びPrO_x薄膜のパルスレーザ堆積による作製及び評価

Preparation by Pulsed Laser Deposition and Characterization of ZrO₂, HfO₂ and PrO_x Thin Films for High-k Gate Insulator

著者 (5件)： KANASHIMA T (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KITAI S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SOHGAWA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANDA H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKUYAMA M (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Proceedings of the 13th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics, 2002  (Proceedings of the 13th IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics, 2002)
ページ： 199-202  発行年： 2002年 
JST資料番号： K20030131  ISSN： 1099-4734  ISBN： 0-7803-7414-2  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約10nm厚ZrO₂,HfO<sub>...

シソーラス用語： *酸化ジルコニウム ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート絶縁体 ,  ZrO2 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  パルスレーザ堆積 ,  作製 ,  評価