GaNとAlxGa1-xNのCl2/CH4/Arプラズマによる反応性エッチング

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J-GLOBAL ID：200902198547364305 整理番号：99A0497786

GaNとAl_xGa_1-xNのCl₂/CH₄/Arプラズマによる反応性エッチング

Reactive lon Etching of GaN and Al_xGa_1-xN Using Cl₂/CH₄/Ar Plasma.

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巻： 38 号： 4B ページ： 2646-2651 発行年： 1999年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標題のp型半導体の反応性イオンエッチング(RIE)を研究した...

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (14件)：

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